外延石墨盤
外延工藝是指在單晶襯底上生長一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料,外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si),也可以是異質(zhì)外延層 (SiGe/Si 或 SiC/Si 等)。在硅和碳化硅的外延工藝中,晶片承載在石墨盤上,有桶式、煎餅式和單晶片石墨盤。石墨盤的性能和質(zhì)量對晶片的外延層的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。

圖 外延設(shè)備的碳化硅涂層石墨盤
石墨盤一般經(jīng)過碳化硅涂層,碳化硅涂層是一種具有致密、耐磨損、高耐腐蝕性和耐熱性以及卓越的導(dǎo)熱性的涂層,碳化硅涂層與石墨部件緊密結(jié)合,延長了石墨部件的使用壽命,并實現(xiàn)了生產(chǎn)半導(dǎo)體材料所需的高純度表面結(jié)構(gòu)。
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