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電子半導(dǎo)體


等離子蝕刻設(shè)備部件

在等離子體蝕刻處理過程中,等離子體反應(yīng)室的部件表面會(huì)暴露在等離子體蝕刻氣體中,被腐蝕,造成污染。而石墨在離子轟擊或等離子等極限工作條件下,不易受腐蝕,可用于等離子蝕刻設(shè)備部件,如石墨電極。

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離子注入設(shè)備部件

離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到一定能量,然后注入晶圓材料的表層內(nèi),以改變材料表層物質(zhì)特性的工藝。

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外延石墨盤

外延工藝是指在單晶襯底上生長一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料,外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si),也可以是異質(zhì)外延層 (SiGe/Si 或 SiC/Si 等)。在硅和碳化硅的外延工藝中,晶片承載在石墨盤上,有桶式、煎餅式和單晶片石墨盤。石墨盤的性能和質(zhì)量對晶片的外延層的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。

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晶體生長爐熱場

用于生長半導(dǎo)體晶體的所有工藝都在高溫、侵蝕性環(huán)境下運(yùn)行,晶體生長爐的熱區(qū)通常配備耐熱和耐腐蝕的高純度石墨部件,如加熱器、坩堝、石墨保溫筒、導(dǎo)流筒等。

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SAF Coolest v1.2 設(shè)置面板SPBSX-ZESY-FSAWE-ASE

違禁詞: 第一,最,一流,領(lǐng)先,獨(dú)一無二,王者,龍頭,領(lǐng)導(dǎo)者,極致,
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